Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N04S4L11ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N04S4L11
IPG20N04S4L11ATMA1 Hakkında
IPG20N04S4L11ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip bu transistör, düşük gate voltajı ile kontrol edilebilir (Vgs(th) max 2.2V). 11.6mΩ drain-source on-direnci ve 8-PowerVDFN SMD paketlemesi ile yüksek yoğunluklu devre tasarımlarında yer alan motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüler ve endüstriyel uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 41W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.6mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 15µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok