Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IPG20N04S4L11AATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IPG20N04S4L11

IPG20N04S4L11AATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IPG20N04S4L11AATMA1, çift N-kanal MOSFET transistörü olup 40V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı ile çalışır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük 11.6mOhm on-direnç (RDS(on)) sayesinde enerji kaybını minimuma indirir. Surface mount 8-TDSON paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç dağıtım modülleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1990pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power - Max 41W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-10
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 15µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok