Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N04S4L08ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N04S4L08ATMA1
IPG20N04S4L08ATMA1 Hakkında
IPG20N04S4L08ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ve 20A sürekli drain akımı (Id) özelliğine sahip bu komponent, logic level gate kontrolü ile düşük gate gerilimi uygulamalarına uyumludur. 8.2mOhm Rds(on) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. 54W maksimum güç tüketim kapasitesi ile motor kontrol, güç dönüşüm devreleri, LED sürücü uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. Surface mount 8-PowerVDFN paketinde sunulan bu transistör -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve aktif üretim durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3050pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 54W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 22µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok