Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N04S4L08AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N04S4L08
IPG20N04S4L08AATMA1 Hakkında
IPG20N04S4L08AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Dual N-Channel MOSFET transistörüdür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 40V drain-source voltajında 20A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8.2mOhm @ 17A/10V düşük on-state direnç değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. 8-PowerVDFN paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 39nC @ 10V gate charge karakteristiği ile hızlı ve kontrollü anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3050pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 54W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 22µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok