Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N04S4L07ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N04S4L07
IPG20N04S4L07ATMA1 Hakkında
IPG20N04S4L07ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleri ile tetiklenebilir. 7.2mOhm on-state direnci ve 50nC gate charge ile verimli komütasyon sağlar. Surface mount 8-PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, 65W maksimum güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 65W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok