Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N04S412AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N04S412AA
IPG20N04S412AATMA1 Hakkında
IPG20N04S412AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 12.2mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. 8-PowerVDFN paket tipinde gelen bu bileşen, endüstriyel sürücüler, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1470pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 41W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.2mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 15µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok