Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N04S409ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N04S409A
IPG20N04S409ATMA1 Hakkında
IPG20N04S409ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj (Vdss) ve 20A sürekli drain akımı (Id) kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 8.6mOhm on-resistance değeriyle düşük enerji kaybı sağlar. Gate charge 28nC olup hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, elektrik güç yönetimi ve endüstriyel otomasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface mount PG-TDSON-8 paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 22µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok