Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IPG20N04S409AATMA1

MOSFET_(20V 40V) PG-TDSON-8

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IPG20N04S409

IPG20N04S409AATMA1 Hakkında

IPG20N04S409AATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 40V drain-source gerilimi (Vdss) ve 20A sürekli dren akımı (Id) kapasitesiyle güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 8.6mΩ on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount PG-TDSON-8 paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 28nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power - Max 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-4
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 22µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok