Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N04S409AATMA1
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N04S409AA
IPG20N04S409AATMA1 Hakkında
IPG20N04S409AATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET transistörleridir. 40V Drain-Source voltaj kapasitesi ile 20A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, 8.6mOhm on-state dirençe sahiptir. Surface Mount paketlemesi (8-PowerVDFN) ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 54W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 28nC gate charge ve düşük input kapasitansı (2250pF) ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 54W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 22µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok