Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG20N04S408ATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG20N04S408ATMA1
IPG20N04S408ATMA1 Hakkında
IPG20N04S408ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajına ve 20A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, düşük 7.6mOhm on-state direnci ile verimli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 8-TDSON yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama düzenekleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunarak, 65W maksimum güç dissipasyonunu destekler. 36nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2940pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 65W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok