Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG16N10S4L61AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG16N10S4L61
IPG16N10S4L61AATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPG16N10S4L61AATMA1, iki N-Channel MOSFET transistörü içeren entegre bir komponenttir. 100V Drain-Source voltaj dayanıklılığı ve 16A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltaj lojik devrelerle direkt kontrol edilebilir. 61mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC/DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, çeşitli ortamlarda kullanılmasını mümkün kılar. Surface Mount paketlemeyle PCB entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 845pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 29W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok