Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IPG16N10S461ATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IPG16N10S461ATMA1
IPG16N10S461ATMA1 Hakkında
IPG16N10S461ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 16A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, 8-PowerVDFN yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 61mOhm (10V, 16A koşullarında) on-state direnci ve 7nC gate charge değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu dual MOSFET, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir. 29W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlar gerektiren uygulamalara uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 29W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-4 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 9µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok