Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IMBD4448-HE3-18
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IMBD4448
IMBD4448-HE3-18 Hakkında
IMBD4448-HE3-18, Vishay tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 75V reverse voltaj dayanımı ve 150mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile düşük güçlü uygulamalarda kullanılmaya uygundur. Standard hız kategorisinde yer alan bu diyot, 4ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarında yer alabilir. Maksimum 1V ileri gerilim düşüşü (10mA'da) ve 2.5µA reverse leakage akımı ile enerji kaybı minimaldır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu komponent, genel amaçlı AC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 150mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2.5 µA @ 70 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 10 mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok