Transistörler - IGBT - Tekil
IKZ75N65ES5XKSA1
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKZ75N65ES5XKSA1
IKZ75N65ES5XKSA1 Hakkında
IKZ75N65ES5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 80A kapasiteli Trench IGBT transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 395W maksimum güç tüketimine sahiptir ve -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışır. 164nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine sahip olan IGBT, switching energy değerleri on için 1.3mJ, off için 1.5mJ'dir. 72ns reverse recovery time sayesinde elektrik yönetim sistemlerinde, endüstriyel sürücülerde, UPS ve kaynak cihazlarında kullanım için uygundur. 1.75V @ 15V, 75A Vce(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Gate Charge | 164 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 395 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 72 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Switching Energy | 1.3mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 46ns/405ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 22.3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.75V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok