Transistörler - IGBT - Tekil
IKZ75N65EL5XKSA1
IGBT 650V 100A TO247-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKZ75N65EL5
IKZ75N65EL5XKSA1 Hakkında
IKZ75N65EL5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 100A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-4 paketinde sunulan bu komponent, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 536W maksimum güç yönetimi, 300A pulse akımı ve 59ns ters kurtarma süresi ile hızlı anahtarlama gerçekleştirir. -40°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri, kaynak cihazları ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 1.35V Vce(on) düşük açık durumu gerilimi ile enerji kaybını minimalize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Gate Charge | 436 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 536 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 59 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Switching Energy | 1.57mJ (on), 3.2mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 120ns/275ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 23Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.35V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok