Transistörler - IGBT - Tekil
IKZ75N65EH5XKSA1
IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKZ75N65EH5
IKZ75N65EH5XKSA1 Hakkında
IKZ75N65EH5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 90A IGBT transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu komponent, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir bipolar geçitli transistördür. 395W maksimum güç yeteneğine sahip olan cihaz, -40°C ile 175°C arasında çalışabilmektedir. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. 58ns reverse recovery time ve hızlı anahtarlama özellikleriyle (on: 26ns, off: 347ns) endüstriyel kontrol, motor sürücü, kaynak makineleri ve güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. 166nC gate charge değeriyle sürücü gereksinimleri optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 90 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Gate Charge | 166 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 395 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Switching Energy | 680µJ (on), 430µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/347ns |
| Test Condition | 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok