Transistörler - IGBT - Tekil
IKZ50N65ES5XKSA1
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKZ50N65ES5
IKZ50N65ES5XKSA1 Hakkında
IKZ50N65ES5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V/80A Trench IGBT transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 274W maksimum güç kapasitesi, 1.7V maksimum Vce(on) voltajı ve 120nC gate charge değeri ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. Reverse recovery time 62ns ve switching energy değerleri (770µJ açılış, 880µJ kapanış) ile hızlı komütasyon sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel invertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 120 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 274 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 62 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Switching Energy | 770µJ (on), 880µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 36ns/294ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 23.1Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok