Transistörler - IGBT - Tekil
IKZ50N65EH5XKSA1
IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKZ50N65EH5XKSA1
IKZ50N65EH5XKSA1 Hakkında
IKZ50N65EH5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/50A IGBT transistörüdür. Trench tipi yapısı ile tasarlanan bu bileşen, Collector akımı maksimum 85A (darbe 200A) kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-4 through-hole paketinde sunulan transistör, -40°C ile +175°C arasında stabil çalışmaktadır. 273W maksimum güç disipasyonu, 109nC gate charge ve düşük geçiş gecikme süreleri (on: 20ns, off: 250ns) ile endüstriyel motorlar, solar inverterleri, UPS sistemleri ve ağır yük anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 50A akımda 2.1V'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 85 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 109 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 273 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 53 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Switching Energy | 410µJ (on), 190µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/250ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok