Transistörler - IGBT - Tekil

IKY75N120CH3XKSA1

IGBT 1200V 150A TO247-4

Üretici: Rochester Electronics
Paket/Kılıf: TO-247-4
Kategori: Transistörler - IGBT - Tekil
Seri / Aile Numarası: IKY75N120CH3

IKY75N120CH3XKSA1 Hakkında

IKY75N120CH3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V, 150A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-4 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır.

Temel özellikleri: Maksimum kolektör akımı 150A, darbe akımı 300A, gate charge 370nC, maksimum güç 938W, reverse recovery time 292ns. Vce(on) değeri 15V kapı voltajında 75A akımda 2.35V olarak belirtilmiştir.

Çalışma sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C (TJ) arasındadır. Switching energy değerleri; açılış 3.4mJ, kapanış 2.9mJ olup, delay time açılış 38ns/kapanış 303ns'dir.

Endüstriyel güç denetim sistemleri, invertörler, motor kontrol uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre	Değer
Current - Collector (Ic) (Max)	150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)	300 A
Gate Charge	370 nC
Input Type	Standard
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case	TO-247-4
Part Status	Active
Power - Max	938 W
Reverse Recovery Time (trr)	292 ns
Supplier Device Package	PG-TO247-4
Switching Energy	3.4mJ (on), 2.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C	38ns/303ns
Test Condition	600V, 75A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok