Transistörler - IGBT - Tekil
IKY50N120CH3XKSA1
IGBT 1200V 100A TO247-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKY50N120CH3
IKY50N120CH3XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKY50N120CH3XKSA1, 1200V Collector-Emitter gerilimi ve 100A sürekli akım kapasitesine sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-4 paket ile monte edilen bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 652W maksimum güç dağılımı, 235nC gate yükü ve 32ns açılış / 296ns kapanış zamanı ile hızlı komütasyon sağlar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. DC-DC konvertörler, invertörler, kaynak cihazları ve elektrik motor sürücüleri gibi yüksek güç elektronik devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 235 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 652 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 255 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
| Switching Energy | 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 32ns/296ns |
| Test Condition | 600V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok