Transistörler - IGBT - Tekil
IKW75N65RH5XKSA1
INDUSTRY 14
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKW75N65RH5
IKW75N65RH5XKSA1 Hakkında
IKW75N65RH5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip yüksek voltaj IGBT transistörüdür. 650V desen-emitter bozulma gerilimi ve 80A maksimum kolektör akımı ile endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama enerjisinin 360µJ (açılış) ve 300µJ (kapanış) olması sayesinde verimli ve hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Inverter, motor sürücüsü ve kaynak makinası gibi yüksek güç endüstriyel sistemlerde tercih edilir. 395W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile zorlu uygulamalara uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Gate Charge | 168 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 395 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 360µJ (on), 300µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/180ns |
| Test Condition | 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok