Transistörler - IGBT - Tekil
IKW75N65EH5XKSA1
IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKW75N65EH5XKSA1
IKW75N65EH5XKSA1 Hakkında
IKW75N65EH5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/90A IGBT transistördür. Trench teknolojisine dayalı bu bileşen, TO-247-3 paketinde sunulmaktadır. Maximum collector akımı 90A, pulsed akımı ise 300A'dır. Gate charge değeri 160nC olup, vce(on) 2.1V @ 15V, 75A'da ölçülmüştür. Switching energy değerleri 2.3mJ (on) ve 900µJ (off) şeklindedir. Ters recovery süresi 92ns'dir. İşletme sıcaklık aralığı -40°C ile 175°C arasında değişmektedir. Maksimum güç çıkışı 395W'tır. Bu transistör, güç dönüştürme uygulamaları, inverterler, servo sürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. Aktif durumda olan bu bileşen yüksek frekanslı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 90 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Gate Charge | 160 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 395 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 92 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 2.3mJ (on), 900µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 28ns/174ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok