Transistörler - IGBT - Tekil
IKW50N65H5FKSA1
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKW50N65H5
IKW50N65H5FKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKW50N65H5FKSA1, 650V kolektör-emitter breakdown voltajında çalışan bir IGBT transistördür. 80A maksimum kolektör akımı ve 305W maksimum güç yönetim kapasitesiyle, endüstriyel motorlar, inverterler, şarj cihazları ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 2.1V Vce(on) değeri ile düşük açık devre kaybı sağlar. 120nC gate charge ve hızlı anahtarlama enerjileri (on: 520µJ, off: 180µJ) ile enerji verimliliği yüksektir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 57ns reverse recovery time ile güvenli komütasyon özelliği taşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 120 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 305 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 57 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 520µJ (on), 180µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/180ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok