Transistörler - IGBT - Tekil
IKW50N65F5FKSA1
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKW50N65F5
IKW50N65F5FKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKW50N65F5FKSA1, 650V collector-emitter breakdown voltajında çalışan güç IGBT transistörüdür. 80A maksimum DC collector akımı ve 150A pulslu akım kapasitesine sahip bu bileşen, 305W güç seviyesinde tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -40°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlarken, 52ns reverse recovery time ve 490µJ açılış / 160µJ kapanış switching enerji değerleriyle verimli anahtarlama performansı sunar. 120nC gate charge ile kolay kontrol edilebilen bu bileşen, indüktif ve kapasitif yükler altında motor sürücüleri, inverterler, SMPS ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 120 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 305 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 52 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 490µJ (on), 160µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 21ns/175ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok