Transistörler - IGBT - Tekil
IKW50N65ES5XKSA1
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKW50N65ES5XKSA1
IKW50N65ES5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKW50N65ES5XKSA1, 650V Trench tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 80A sürekli ve 200A darbe kollektör akımı ile çalışır. 1.7V sabitlenmiş gerilim ve 120nC geçit yükü özelliği ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor kontrol ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. 70ns ters kurtarma zamanı ve 1.23mJ açılma/550µJ kapanma anahtarlama enerjisi ile verimli işlem gerçekleştirir. 274W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 120 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 274 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 1.23mJ (on), 550µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/127ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok