Transistörler - IGBT - Tekil
IKW50N65EH5XKSA1
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKW50N65EH5XKSA1
IKW50N65EH5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKW50N65EH5XKSA1, Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanmış bir IGBT transistöründür. 650V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 80A maksimum kollektör akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paket tipi ile yüksek güç uygulamalarında montajı kolaylaştırır. 275W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile sürücü devreleri, inverter, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde uygulanabilir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı ve hızlı anahtarlama karakteristiği (Td on: 25ns) sayesinde enerji verimli tasarımlara uyundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 120 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 275 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 81 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 1.5mJ (on), 500µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/172ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok