Transistörler - IGBT - Tekil
IKW30N65EL5XKSA1
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKW30N65EL5XKSA1
IKW30N65EL5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKW30N65EL5XKSA1, 650V collector-emitter breakdown voltajı ve 30A nominal kollektör akımı ile çalışan bir IGBT transistördür. Entegre hızlı diyot (Fast Diode) yapısı sayesinde reverse recovery time 100ns'dir. TO-247-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Gate charge değeri 168nC olup, maksimum güç tüketimi 227W'dır. -40°C ile 175°C arasında güvenilir şekilde çalışır. DC/DC konvertörler, motor kontrol devreleri, endüstriyel güç elektronik uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir. Düşük Vce(on) değeri (1.35V @ 15V, 30A) ile enerji verimliliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 85 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 168 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 227 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 470µJ (on), 1.35mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 33ns/308ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.35V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok