Transistörler - IGBT - Tekil

IKW25N120H3FKSA1

IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IKW25N120H3

IKW25N120H3FKSA1 Hakkında

IKW25N120H3FKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/50A yüksek voltaj IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 326W maksimum güç tüketimine ve 290ns geri kazanım süresine sahiptir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilen komponent, endüstriyel inverterler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve benzer yüksek voltaj anahtarlama devrelerinde uygulanır. 115nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 100 A
Gate Charge 115 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 326 W
Reverse Recovery Time (trr) 290 ns
Supplier Device Package PG-TO247-3-1
Switching Energy 2.65mJ
Td (on/off) @ 25°C 27ns/277ns
Test Condition 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok