Transistörler - IGBT - Tekil
IKW20N65ET7XKSA1
IKW20N65ET7XKSA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKW20N65ET7
IKW20N65ET7XKSA1 Hakkında
IKW20N65ET7XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 40A sürekli kolektör akımı ve 60A pulsed kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 175°C arasında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 128nC gate charge ve 70ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. 1.65V Vce(on) değeriyle düşük yükseltme kaybı sağlar. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol sistemleri, güç dönüştürücüleri ve invörter tasarımlarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 128 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 136 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 360µJ (on), 360µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/210ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.65V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok