Transistörler - IGBT - Tekil
IKW03N120H2
IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKW03N120H2
IKW03N120H2 Hakkında
IKW03N120H2, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/9.6A kapasiteli Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) komponentidir. Anti-parallel diod ile entegre olarak tasarlanmıştır. TO-247-3 paketlemesi ile through-hole montajı destekler. 62.5W maksimum güç kapasitesi ve 22nC gate charge değeri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 3A akımda 2.8V'tur. 42ns reverse recovery time ve 290µJ switching energy ile düşük kayıp özellikleri vardır. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9.6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.9 A |
| Gate Charge | 22 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 62.5 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Switching Energy | 290µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 9.2ns/281ns |
| Test Condition | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok