Transistörler - IGBT - Tekil
IKQ50N120CT2XKSA1
IGBT 1200V 100A TO247-3-46
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKQ50N120CT2
IKQ50N120CT2XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKQ50N120CT2XKSA1, 1200V breakdown voltajına ve 100A nominal collector akımına sahip Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 652W maksimum güç dağıtabilir ve -40°C ile 175°C arasında çalışır. 235nC gate charge ve düşük switching energy değerleriyle (3.8mJ açılış, 3.3mJ kapanış) endüstriyel uygulamalarda verimli anahtarlama sağlar. 2.15V Vce(on) ile düşük iletim kaybı sunar. Yüksek voltajlı DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, kaynak cihazları ve endüstriyel güç sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 235 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 652 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-46 |
| Switching Energy | 3.8mJ (on), 3.3mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 34ns/312ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok