Transistörler - IGBT - Tekil
IKQ50N120CH3XKSA1
IGBT 1200V 100A TO247-3-46
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKQ50N120CH3XKSA1
IKQ50N120CH3XKSA1 Hakkında
IKQ50N120CH3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V/100A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Maksimum 652W güç yönetebilen transistör, 235nC gate charge ve 3mJ açılış ile 1.9mJ kapanış enerjisine sahiptir. 2.35V Vce(on) değeri ile düşük konma gerilimi sunar. Endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve UPS sistemlerinde tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, through-hole montaj türüyle PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 235 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 652 W |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-46 |
| Switching Energy | 3mJ (on), 1.9mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 34ns/297ns |
| Test Condition | 600V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok