Transistörler - IGBT - Tekil

IKQ40N120CH3XKSA1

IGBT 1200V 80A TO247-3-46

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
IKQ40N120CH3

IKQ40N120CH3XKSA1 Hakkında

IKQ40N120CH3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V 80A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında ve güç elektronikleri devrelerinde kullanılır. 500W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Kolektör akımı maksimum 80A, impulsif kolektör akımı ise 160A'dir. Gate charge değeri 190nC ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sunar. 30ns açılış (on) ve 300ns kapanış (off) gecikmesi ile yüksek frekanslı uygulamalara uygun bir tercihtir. Enerji dönüştürme, inverter, konvertör ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 160 A
Gate Charge 190 nC
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power - Max 500 W
Supplier Device Package PG-TO247-3-46
Switching Energy 3.3mJ (on), 1.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 30ns/300ns
Test Condition 400V, 40A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok