Transistörler - IGBT - Tekil
IKP40N65H5
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKP40N65H5
IKP40N65H5 Hakkında
IKP40N65H5, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 74A maksimum collector akımı ve 120A pulse akımı kapasitesi ile orta-yüksek güç seviyesinde çalışan devreler için uygun tasarlanmıştır. 250W maksimum güç dissipasyonu ile gerilim düzenleyiciler, motor kontrol devreler, kaynak makinaları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile standart DIP ve soket uyumluluğu sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 74 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 95 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 62 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Switching Energy | 390µJ (on), 120µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/165ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 15Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok