Transistörler - IGBT - Tekil
IKP15N65F5XKSA1
IGBT 650V 30A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKP15N65F5
IKP15N65F5XKSA1 Hakkında
IKP15N65F5XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V 30A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paket tipi ile through-hole montajına uygun tasarlanmıştır. 105W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile orta ila yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum açılış gecikmesi 17ns, kapalı hali gecikmesi 150ns olarak belirtilmiştir. 38nC gate charge değeri ile kontrol devreleri tasarımında kullanılır. -40°C ile 175°C arasında çalışan bu IGBT, dc-dc dönüştürücüler, invertör devreleri, endüstriyel motor sürücüleri ve güç elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Gate Charge | 38 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 105 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Switching Energy | 130µJ (on), 40µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/150ns |
| Test Condition | 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok