Transistörler - IGBT - Tekil

IKP10N60TXKSA1

IGBT 600V 20A 110W TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
IKP10N60TXKSA1

IKP10N60TXKSA1 Hakkında

IKP10N60TXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. NPT Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, maksimum 20A collector akımı ve 110W güç yönetimi kapasitesi sunar. TO-220-3 paket içinde sunulan transistör, endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve AC/DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. 2.05V vce(on) değeri ve 62nC gate charge karakteristikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Yüksek reverse recovery time (115ns) ile daha düşük switching loss'ları gerçekleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 30 A
Gate Charge 62 nC
IGBT Type NPT, Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 110 W
Reverse Recovery Time (trr) 115 ns
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Switching Energy 430µJ
Td (on/off) @ 25°C 12ns/215ns
Test Condition 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok