Transistörler - IGBT - Tekil
IKP08N65H5XKSA1
IGBT 650V 18A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKP08N65H5
IKP08N65H5XKSA1 Hakkında
IKP08N65H5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/18A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 70W maksimum güç yönetiminde çalışabilir. Vce(on) değeri 2.1V olup (15V gate voltajında, 8A kolektör akımında), düşük iletim kaybına sahiptir. 22nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliğine, 40ns ters kurtarma süresine ve düşük switching energy'ye (on: 70µJ, off: 30µJ) sahiptir. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç denetimi, motor sürücüler, inverter devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 18 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 22 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 70 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-111 |
| Switching Energy | 70µJ (on), 30µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 11ns/115ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 48Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok