Transistörler - IGBT - Tekil
IKP08N65F5XKSA1
IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKP08N65F5
IKP08N65F5XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKP08N65F5XKSA1, 650V kolektör-emitter breakdown voltajına sahip güç IGBT transistörüdür. 18A maksimum kolektör akımı ve 70W maksimum harcanan güç kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, invertörler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. 22nC kapı yükü ve 10ns/116ns açılış/kapanış gecikme süresi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kararlı işlem yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 18 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24 A |
| Gate Charge | 22 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 70 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 41 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-111 |
| Switching Energy | 70µJ (on), 20µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 10ns/116ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 48Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok