Transistörler - IGBT - Tekil
IKP03N120H2XKSA1
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKP03N120H2
IKP03N120H2XKSA1 Hakkında
IKP03N120H2XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 9.6A collector akımı ve 62.5W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle çalışır. -40°C ile 150°C arasında sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 2.8V Vce(on) değeri ve 22nC gate charge karakteristiği ile elektrik motor kontrolü, switched mode power supplies (SMPS) ve endüstriyel güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. 42ns reverse recovery time ve 290µJ switching energy değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. Cihaz artık üretilmemektedir (obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9.6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.9 A |
| Gate Charge | 22 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 62.5 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Switching Energy | 290µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 9.2ns/281ns |
| Test Condition | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok