Transistörler - IGBT - Tekil
IKP03N120H2
IGBT, 9.6A, 1200V, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKP03N120H2
IKP03N120H2 Hakkında
IKP03N120H2, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel IGBT transistördür. 1200V kollektör-emiter breakdown voltajı ve 9.6A maksimum kollektör akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 62.5W maksimum güç kapasitesine sahiptir. 22nC gate charge, 42ns reverse recovery time ve 290µJ switching energy parametreleri ile yüksek hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, AC/DC güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltajlı anahtar uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9.6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.9 A |
| Gate Charge | 22 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 62.5 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Switching Energy | 290µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 9.2ns/281ns |
| Test Condition | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok