Transistörler - IGBT - Tekil
IKP01N120H2XKSA1
IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKP01N120H2
IKP01N120H2XKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKP01N120H2XKSA1, 1200V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistördür. Maksimum 3.2A kolektör akımı ve 28W güç dağıtma kapasitesiyle, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketine sahip bu bileşen, -40°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. 8.6nC gate charge ve 140µJ switching energy değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. İnverter, DC-DC dönüştürücü ve motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Cihaz obsolete durumda olup, yeni tasarımlarda alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3.2 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 3.5 A |
| Gate Charge | 8.6 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 28 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 83 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Switching Energy | 140µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/370ns |
| Test Condition | 800V, 1A, 241Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok