Transistörler - IGBT - Tekil
IKN03N60RC2ATMA1
HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKN03N60RC2
IKN03N60RC2ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKN03N60RC2ATMA1, 600V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. 5.7A maksimum kollektör akımı ve 9A pulslu akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. PG-SOT223-3 yüzey montajlı paketlemesinde sunulan bu bileşen, 18nC gate charge ve 62µJ (açılış) / 44µJ (kapanış) switching enerji değerlerine sahiptir. -40°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 3A akımda 2.3V'dur. 38ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Ev aletleri ve benzer uygulamalarda güç yönetimi ve motor kontrol devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5.7 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9 A |
| Gate Charge | 18 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 6.3 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 38 ns |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3-1 |
| Switching Energy | 62µJ (on), 44µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 7ns/77.5ns |
| Test Condition | 400V, 3A, 49Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok