Transistörler - IGBT - Tekil
IKN01N60RC2ATMA1
HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKN01N60RC2
IKN01N60RC2ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IKN01N60RC2ATMA1, 600V Collector-Emitter Breakdown Voltajına sahip tek kanal IGBT transistörüdür. 2.2A maksimum Collector akımı ve 3A pulsed akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. PG-SOT223-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 5.1W maksimum güç tüketimiyle enerji tasarrufu gerektiren uygulamalarda kullanılır. Reverse Recovery Time'ı 59.5ns ve hızlı switching enerji değerleri (on: 25.1µJ, off: 13.5µJ) ile ev aletleri, adaptörler ve düşük güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate Charge değeri 9nC ile minimize edilmiş geçiş kayıpları sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2.2 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 3 A |
| Gate Charge | 9 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 5.1 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 59.5 ns |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3 |
| Switching Energy | 25.1µJ (on), 13.5µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 5.6ns/80ns |
| Test Condition | 400V, 1A, 49Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok