Transistörler - IGBT - Tekil
IKFW75N65ES5XKSA1
IKFW75N65ES5XKSA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKFW75N65ES5
IKFW75N65ES5XKSA1 Hakkında
IKFW75N65ES5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. Maximum 80A DC akımı ve 240A pulsed akımı ile çalışan bu komponent, 148W güç kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 1.7V Vce(on) değeri ve 144nC gate charge ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Reverse recovery süresi 71ns olan bu IGBT, şebeke invertörleri, motor kontrolü, kaynak makinaları ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Yüksek voltaj ve akım uygulamaları için tasarlanmış standart giriş konfigürasyonlu bu transistör, hızlı anahtarlama ve düşük kaybı ile bilinir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Gate Charge | 144 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 148 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 71 ns |
| Supplier Device Package | PG-HSIP247-3-2 |
| Switching Energy | 1.48mJ (on), 660µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 24ns/152ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 8Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok