Transistörler - IGBT - Tekil
IKFW75N65EH5XKSA1
IKFW75N65EH5XKSA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKFW75N65EH5XKSA1
IKFW75N65EH5XKSA1 Hakkında
IKFW75N65EH5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 80A sürekli collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 240A darbe akımı kapasitesiyle güçlü anahtarlama performansı sağlar. 2.1V on-state gerilimi ile düşük kayıplar sunur. Switching energy değerleri (1.8mJ on, 600µJ off) hızlı ve verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. 148W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile endüstriyel sürücü, konvertör ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. TO-247-3 kasa tipi ve Through Hole montajı ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Gate Charge | 144 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 148 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Supplier Device Package | PG-HSIP247-3-2 |
| Switching Energy | 1.8mJ (on), 600µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/206ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok