Transistörler - IGBT - Tekil
IKFW50N65ES5XKSA1
IKFW50N65ES5XKSA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKFW50N65ES5
IKFW50N65ES5XKSA1 Hakkında
IKFW50N65ES5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. 74A maksimum kolektör akımı ve 160A darbe akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 127W maksimum güç disipasyonuna sahip olan bu bileşen, endüstriyel motor kontrol, anahtarlanmış güç kaynakları ve invertör devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -40°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar. 95nC gate charge ve düşük anahtarlama kayıpları (on: 860µJ, off: 400µJ) sayesinde verimli devre tasarımına olanak tanır. 1.7V Vce(on) değeri enerji kaybını minimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 74 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 95 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 127 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 69 ns |
| Supplier Device Package | PG-HSIP247-3-2 |
| Switching Energy | 860µJ (on), 400µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/130ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok