Transistörler - IGBT - Tekil
IKD15N60RFATMA1
IGBT TRENCH/FS 600V 30A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD15N60RFATMA1
IKD15N60RFATMA1 Hakkında
IKD15N60RFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 30A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 2.5V'luk düşük Vce(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 90nC gate charge ve hızlı anahtarlama özellikleri (Td(on) 13ns, Td(off) 160ns) ile güç dönüştürme uygulamalarında verimli çalışır. Ters iyileştirme zamanı 74ns olan bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, elektrik motor kontrolü ve DC-AC inverter uygulamalarında kullanılır. 250W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile kompakt tasarımlarda yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Gate Charge | 90 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 74 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 270µJ (on), 250µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 13ns/160ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 15Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok