Transistörler - IGBT - Tekil
IKD15N60RBTMA1
IGBT, 30A, 600V, N-CHANNEL
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD15N60RBTMA1
IKD15N60RBTMA1 Hakkında
IKD15N60RBTMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Trench tipi IGBT transistördür. 30A maksimum kolektör akımı, 600V kesme gerilimi ve 250W maksimum güç derecelendirmesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulur. Bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. 16ns açılış ve 183ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Gate Charge | 90 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 110 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Switching Energy | 900µJ |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/183ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 15Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok