Transistörler - IGBT - Tekil
IKD15N60RAATMA1
IGBT 600V 30A 250W TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD15N60RA
IKD15N60RAATMA1 Hakkında
IKD15N60RAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V Trench IGBT transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30A sürekli kolektör akımı ve 45A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 250W güç dissipasyonu ile tasarlanan komponent, anahtarlama uygulamalarında ve güç dönüştürücü devrelerinde kullanılır. 16ns açılış ve 183ns kapanış gecikmesi sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. -40°C ile +175°C arasında çalışabilir. Düşük Vce(on) değeri (2.1V @ 15V, 15A) ile enerji verimliliği sağlar. NOT: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45 A |
| Gate Charge | 90 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 250 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 110 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/183ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 15Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok