Transistörler - IGBT - Tekil
IKD10N60RFAATMA1
IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IKD10N60RFAA
IKD10N60RFAATMA1 Hakkında
IKD10N60RFAATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/20A kapasiteli Trench IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 150W güç dağıtma yeteneğine sahip olan transistör, 2.5V (15V gate geriliminde 10A kolektör akımında) düşük on-durumu gerilimini sağlar. Ön açılış süresi 12ns, kapanış süresi 168ns olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun switching energy değerlerine (on: 190µJ, off: 160µJ) sahiptir. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu IGBT, DC/DC dönüştürücüler, inverterler ve motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Gate Charge | 64 nC |
| IGBT Type | Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 150 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 72 ns |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Switching Energy | 190µJ (on), 160µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/168ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 26Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok